光电D和E是指光电二极管中的两种不同结构？

光电D和E的原理是基于光电效应，即当光子照↞射到半导体材料上✡时，会激发出电子，使其从价带跃迁到导带，从而形成电子空穴对!

这个过程中，光子的能量被吸收，电子和空穴的能量增加，因此，光电二极管的导电性能会随着光照↞强度的变化而改变?

光电D是指具有PN结构的光电二极管，其结构与普通的二极管相似，由P型半导体和N型半导体组成;

光电D的灵敏度较高，响应速度也较快，因此被广泛应用于光电传感器、光电开关等领✣域。

Intrinsic半导体具有很高的电阻率，因此可以形成一个很宽的耗尽层，使得光电E的灵敏度更高、响应速度更快!

总的来说，光电D和E的原理都是基于光电效应，但其结构和性能有所不同，可以根据V不同的需求选择不同的光电二极管!